經濟部近日於「2023 SEMICON TAIWAN」展中，首度亮相全球獨創的「2奈米製程鍍膜」，此技術設備由工研院及半導體設備專業廠商旭宇騰精密科技共同合作研發，可滿足速度快、低耗電的下世代電晶體及記憶體所需，經濟部表示，此設備將成為次世代半導體供應鏈強大後援。
全台最大半導體盛宴「2023 SEMICON TAIWAN」於近日登場，經濟部也在其中發表52項前瞻技術。
根據世界半導體貿易統計協會（WSTS）預估，全球半導體將於2030年破兆美元，而台灣半導體產業位居於國際重要地位，去年半導體的產值年成長超過18%，突破新台幣5兆元，位居全球第二。
對此，經濟部技術處處長邱求慧表示，台灣在晶圓製造和封測領域擁有堅強實力，其中消費性電子產業占比甚高，經濟部技術處透過法人研發及補助業者，自2019至2023年已投入超過250億元，加速國內業者創新產品落地，未來將持續協助產業在先進製程、小晶片、異質整合、化合物半導體、綠能技術等領域。
此次大展發表的52項技術中，包括「全球散熱能力最強的相變化水冷技術」，可達全球最高千瓦散熱水準，超越目前散熱技術一倍以上，符合未來AI與資料中心建置需求，該技術已與一詮精密合作生產產品，並已經交貨給數家國際AI晶片大廠驗證中。
而甫獲2023 R&D 100大獎的「2奈米製程鍍膜（Hybrid Atomic Layer Deposition；Hy-ALD）」設備也於展中首度亮相，此技術不但將打入半導體前段設備的供應鏈，也能協助台灣產業往「設備國產自製」的目標前進一大步。
這是由工研院及半導體設備專業廠商旭宇騰精密科技共同合作研發，因半導體生產過程複雜繁瑣，每個步驟製程需運用特殊設備，但在步驟切換時，常遇到傳輸耗時、汙染及品質下降等問題。2奈米製程鍍膜設備將半導體前段鍍膜製程步驟整合為多合一系統，滿足速度快、低耗電的下世代電晶體及記憶體所需。
這項設備導入10件核心專利技術，巧妙整合融入機台以提升鍍膜品質和生產速率，不僅滿足元件高深寬比、均勻沉積等需求，還成功突破國外大廠對原子層膜沉積設備專利的屏障，可望將台灣國產自製率由30%提升至60%以上，更可將維修時程縮短從7天至1天。
未來工研院將與旭宇騰精密科技合作生產，預計這款設備未來將佔據ALD鍍膜市場約10%，相當於約84億台幣，為台灣次世代半導體鍍膜設備供應鏈提供有力支援。
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根據世界半導體貿易統計協會（WSTS）預估，全球半導體將於2030年破兆美元，而台灣半導體產業位居於國際重要地位，去年半導體的產值年成長超過18%，突破新台幣5兆元，位居全球第二。
對此，經濟部技術處處長邱求慧表示，台灣在晶圓製造和封測領域擁有堅強實力，其中消費性電子產業占比甚高，經濟部技術處透過法人研發及補助業者，自2019至2023年已投入超過250億元，加速國內業者創新產品落地，未來將持續協助產業在先進製程、小晶片、異質整合、化合物半導體、綠能技術等領域。
此次大展發表的52項技術中，包括「全球散熱能力最強的相變化水冷技術」，可達全球最高千瓦散熱水準，超越目前散熱技術一倍以上，符合未來AI與資料中心建置需求，該技術已與一詮精密合作生產產品，並已經交貨給數家國際AI晶片大廠驗證中。
而甫獲2023 R&D 100大獎的「2奈米製程鍍膜（Hybrid Atomic Layer Deposition；Hy-ALD）」設備也於展中首度亮相，此技術不但將打入半導體前段設備的供應鏈，也能協助台灣產業往「設備國產自製」的目標前進一大步。
這是由工研院及半導體設備專業廠商旭宇騰精密科技共同合作研發，因半導體生產過程複雜繁瑣，每個步驟製程需運用特殊設備，但在步驟切換時，常遇到傳輸耗時、汙染及品質下降等問題。2奈米製程鍍膜設備將半導體前段鍍膜製程步驟整合為多合一系統，滿足速度快、低耗電的下世代電晶體及記憶體所需。
這項設備導入10件核心專利技術，巧妙整合融入機台以提升鍍膜品質和生產速率，不僅滿足元件高深寬比、均勻沉積等需求，還成功突破國外大廠對原子層膜沉積設備專利的屏障，可望將台灣國產自製率由30%提升至60%以上，更可將維修時程縮短從7天至1天。
未來工研院將與旭宇騰精密科技合作生產，預計這款設備未來將佔據ALD鍍膜市場約10%，相當於約84億台幣，為台灣次世代半導體鍍膜設備供應鏈提供有力支援。
