三星電子南韓華城廠區去年 12 月 31 日晚間，發生短暫跳電，研調機構集邦科技 （TrendForce） 表示，該廠停電時間小於 3 分鐘，廠區的 UPS 不斷電系統適時給予救援，避免大範圍衝擊，但正常的工廠作業流程仍須停機檢查，初步確認影響有限。
三星電子位於南韓華城的晶片廠，去年 12 月 31 日晚間發生跳電，該廠產能包括 NAND Flash、DRAM 與晶圓代工等。三星平澤廠 2018 年時，也曾發生斷電事件，時間長達半小時，當時造成三星 500 億韓圜損失，業界預期，此次跳電意外，可望助漲 DRAM 與 NAND Flash 漲勢。
集邦科技指出，三星華城廠區發生跳電的 NAND Flash 工廠為 Line 12，主要以生產 2D NAND 為主，並非主流 3D NAND 產品。
此外，該廠區也有 DRAM 生產 （Line 13 部分） 與 LSI 生產 （Line 11 與部分 Line 13），但由於 Line 13 目前只有 20 奈米製程，並非先進的 1X / 1Y 奈米製程。代工部分，主要以 CMOS 產品為主，加上跳電時間短、不斷電系統順利銜接，雖仍需停機檢查，但應可迅速恢復。三星內部目前仍在做災後評估。
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集邦科技指出，三星華城廠區發生跳電的 NAND Flash 工廠為 Line 12，主要以生產 2D NAND 為主，並非主流 3D NAND 產品。
此外，該廠區也有 DRAM 生產 （Line 13 部分） 與 LSI 生產 （Line 11 與部分 Line 13），但由於 Line 13 目前只有 20 奈米製程，並非先進的 1X / 1Y 奈米製程。代工部分，主要以 CMOS 產品為主，加上跳電時間短、不斷電系統順利銜接，雖仍需停機檢查，但應可迅速恢復。三星內部目前仍在做災後評估。
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