今 （19） 陸媒報導指出，耗資人民幣 50 億元，土地面積 1000 公畝的中國電科 （山西） 電子資訊科技創新產業園即將進行投產，成為中國最大的碳化矽材料供應基地，預估可達每年人民幣 100 億元的產值。
中國電科指出該專案耗時 5 年，建成「一中心三基地」，即中國電科第三代半導體技術創新中心、中國電科碳化矽材料產業基地、中國電科電子裝備智慧製造產業基地，及中國電科太陽能新能源產業基地。
由於該項目是中國最大的碳化矽材料供應基地，因此有機會引發群聚效應，吸引上游企業在周邊建廠，打造電子裝備製造，及第三代半導體產業生態鏈。
碳化矽材料在許多高科技產業具有重要的應用價值。但碳化矽單晶的製造一直是全球科技業需突破的難題之一，而高穩定性的長晶工藝技術是其產業核心。
中國碳化矽單晶材料長期依賴進口，其昂貴的售價和不穩定的供應情況限制中國相關產業的發展。因此中國電科的碳化矽材料開始投產，可為「國產替代」再寫下一個新里程。
據了解，早在 2007 年開始中國電科 2 所便著手布局碳化矽單晶基底材料的研發規劃，依靠自身在電子專用設備研發領域的技術優勢，專精於碳化矽單晶生長爐的研發上。
目前已全面掌握高純度碳化矽粉料製造工藝、4 英吋高純半絕緣碳化矽單晶基底的製造工藝，達成從碳化矽粉料製造、晶體生長、晶片加工、外延驗證等整套碳化矽材料研發製造產線，是在中國最早達成高純碳化矽材料、高純半絕緣晶片量產的企業。
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由於該項目是中國最大的碳化矽材料供應基地，因此有機會引發群聚效應，吸引上游企業在周邊建廠，打造電子裝備製造，及第三代半導體產業生態鏈。
碳化矽材料在許多高科技產業具有重要的應用價值。但碳化矽單晶的製造一直是全球科技業需突破的難題之一，而高穩定性的長晶工藝技術是其產業核心。
中國碳化矽單晶材料長期依賴進口，其昂貴的售價和不穩定的供應情況限制中國相關產業的發展。因此中國電科的碳化矽材料開始投產，可為「國產替代」再寫下一個新里程。
據了解，早在 2007 年開始中國電科 2 所便著手布局碳化矽單晶基底材料的研發規劃，依靠自身在電子專用設備研發領域的技術優勢，專精於碳化矽單晶生長爐的研發上。
目前已全面掌握高純度碳化矽粉料製造工藝、4 英吋高純半絕緣碳化矽單晶基底的製造工藝，達成從碳化矽粉料製造、晶體生長、晶片加工、外延驗證等整套碳化矽材料研發製造產線，是在中國最早達成高純碳化矽材料、高純半絕緣晶片量產的企業。
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