根據市場調研機構《IC Insights》發布的《2019-2023 年全球晶圓產能》報告顯示,28nm 以下的領先工藝製程 (Leading-edge processes) 持續強勢,占有最大的市占率。預期 28nm 以下在今年底將佔全球 IC 市場總產能的約 49%。此外,10nm 以下的工藝製程也已開始量產,預計到今年底將佔全球總產能的 5%。至 2023 年,10nm 以下的占比預期將躍升至 25%,成為全球 IC 產業中最大的市場類別。
報告中指出,目前 10nm 以下工藝製成僅有南韓的三星 (005930-KR) 和台灣的台積電 (2330-TW)。南韓、日本和台灣在 20nm 至 10nm 的市場中瓜分了絕大部分,其中,日本與南韓主要用於生產 NAND 快閃記憶體和 DRAM,採用了 14nm、10nm 製成等技術。而台灣大約有一半用於晶圓代工服務,另一半則用在 DRAM 生產。
另一方面,報告中也表示,南韓仍然比其他地區或國家更注重領先工藝製程。有鑑於三星和 SK 海力士 (000660-KR) 對 DRAM 和快閃記憶體產品的重視,該國領先工藝製成的晶圓產能集中度最高。此外,南韓 20nm 以下製成的總產能也在全球占比最高。其中的邏輯製程 (logic-based processes) 方面,主要都集中在台灣、北美、南韓。
儘管中國在近期以來積極發展自家半導體技術,但是領先工藝製成產能主要還是完全由外國公司,像是三星、SK 海力士、英特爾和台積電所擁有和控制。
在 65nm 至 28nm 製成領域中,台灣的產能佔有最大比例。28nm、45/40nm 和 65nm 製成更持續為台積電和聯電 (2303-TW) 等代工廠創造大量業績。
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另一方面,報告中也表示,南韓仍然比其他地區或國家更注重領先工藝製程。有鑑於三星和 SK 海力士 (000660-KR) 對 DRAM 和快閃記憶體產品的重視,該國領先工藝製成的晶圓產能集中度最高。此外,南韓 20nm 以下製成的總產能也在全球占比最高。其中的邏輯製程 (logic-based processes) 方面,主要都集中在台灣、北美、南韓。
儘管中國在近期以來積極發展自家半導體技術,但是領先工藝製成產能主要還是完全由外國公司,像是三星、SK 海力士、英特爾和台積電所擁有和控制。
在 65nm 至 28nm 製成領域中,台灣的產能佔有最大比例。28nm、45/40nm 和 65nm 製成更持續為台積電和聯電 (2303-TW) 等代工廠創造大量業績。
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