三星在最新的 5G 技術論壇上，其中國科技網路電子媒體分享未來三星 5G 世代方面的技術布局。
首先三星指出最引以為傲的 3 奈米製程明年就完成研發階段。而在 3 奈米製程中，三星將從 FinFET 技術轉向 GAA 技術，其中 3 奈米工藝使用的是第一代 GAA 技術，官方稱之為 3GAE 工藝。
基於全新的 GAA 技術，三星透過使用專用設備製造出 MBCFET 架構，該架構可以明顯增強電晶體性能，用於取代 FinFET 技術。
除此之外，MBCFET 還能兼容現有的 FinFET 工藝技術及設備，進而加速產品開發及生產。
與現在的 7 奈米技術相比，3 奈米技術可將核心面積減少 45%，功耗降低 50%，性能提升 35%。
在工藝進度上，三星今年 4 月份已經在韓國華城的 S3 Line 工廠生產 7 奈米晶片，今年內預計完成 4 奈米工藝開發，2020 年預計完成 3 奈米工藝開發。
不過台積電在晶圓代工製程方面不讓三星專美於前，在日前 SEMICON Taiwan 2019 台積電就透露出有能力達到 1 奈米製程，且預計將在 2 奈米製程技術上投資 65 億美元，並在 2024 年開始生產 2 奈米的產品，再度搶回晶圓代工製程技術的話語權。
而進入 5G 世代，為達到理想的 5G 效果，基地台的布建數量將更多，加上手機等終端消費性電子的換機潮，三星全力投入相關晶片研發。
目前除了處理器外，三星有三款晶片，基頻、電源晶片、射頻晶片已做好量產準備。網路設備方面包含 5G 基地台、5G 路由器 （室內、室外） 等將推出。
此外，三星也將在 5G 市場提供端到端產品服務，內容包含端到端的網路設備射頻晶片、終端晶片、及終端、無線網、核心網、網路規劃軟體應用等方面。
目的在於強化一條龍式的 5G 解決方案，從硬體到軟體，從上游產品製造到下游品牌通路，三星將能一手包辦。
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基於全新的 GAA 技術，三星透過使用專用設備製造出 MBCFET 架構，該架構可以明顯增強電晶體性能，用於取代 FinFET 技術。
除此之外，MBCFET 還能兼容現有的 FinFET 工藝技術及設備，進而加速產品開發及生產。
與現在的 7 奈米技術相比，3 奈米技術可將核心面積減少 45%，功耗降低 50%，性能提升 35%。
在工藝進度上，三星今年 4 月份已經在韓國華城的 S3 Line 工廠生產 7 奈米晶片，今年內預計完成 4 奈米工藝開發，2020 年預計完成 3 奈米工藝開發。
不過台積電在晶圓代工製程方面不讓三星專美於前，在日前 SEMICON Taiwan 2019 台積電就透露出有能力達到 1 奈米製程，且預計將在 2 奈米製程技術上投資 65 億美元，並在 2024 年開始生產 2 奈米的產品，再度搶回晶圓代工製程技術的話語權。
而進入 5G 世代，為達到理想的 5G 效果，基地台的布建數量將更多，加上手機等終端消費性電子的換機潮，三星全力投入相關晶片研發。
目前除了處理器外，三星有三款晶片，基頻、電源晶片、射頻晶片已做好量產準備。網路設備方面包含 5G 基地台、5G 路由器 （室內、室外） 等將推出。
此外，三星也將在 5G 市場提供端到端產品服務，內容包含端到端的網路設備射頻晶片、終端晶片、及終端、無線網、核心網、網路規劃軟體應用等方面。
目的在於強化一條龍式的 5G 解決方案，從硬體到軟體，從上游產品製造到下游品牌通路，三星將能一手包辦。
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