中國紫光集團 （365-HK） 旗下長江存儲，宣布正式量產基於 Xtacking 結構的 64 層 3D NAND 晶片，市場分析，這將有望幫助中國打破產業國際壟斷局面。
長江存儲是中國第一家 NAND 記憶體晶片製造商，本次量產預計能推動第一期月產能達 10 萬片。除了發布量產消息，該公司同時計畫推出 64 層 3D NAND 的固態硬碟 （SSD）、通用快閃記憶體 （UFS） 等產品，專攻數據機、企業伺服器、個人筆電等各種行動設備。
不同於其他製造商，長江存儲的 64 層 3D NAND 晶片是全球首款基於 Xtacking 結構設計，且實現量產的快閃記憶體晶片，可在兩片獨立晶圓上，分別加工週圍電路與儲存單元，帶來更快的 I/O 傳輸速度、更高的儲存密度，且有助於縮短產品上市週期。
長江存儲技術研發中心副總裁程衛華表示，將 Xtacking 結構投入大規模生產，能夠在提升產品性能的同時，縮短開發與生產週期，推動市場的快速發展。
展望未來市場，程衛華指出，在 5G、AI 時代的引領下，全球對 3D NAND 晶片的需求將持續增長，而 64 層 3D NAND 閃存產品的大規模生產，將為全球 NAND 記憶體市場挹注發展動能。
根據 TrendForce 報告，2018 年 NAND Flash 因供過於求導致市場價格大跌，製造商紛紛推遲 96 層 3D NAND 擴產計畫，技術製程因此陷入瓶頸，這為長江存儲提供技術追趕的機會。
（圖：DRAMeXchange）
目前包含三星電子、SK 海力士、東芝以及美光等全球主要 NAND 供應商皆已開始量產 96 層技術，並為 128 層技術熱身，若長江存儲能在 2020 年成功投入 128 層技術，將有望拉近與國際大廠間的競爭差距。
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不同於其他製造商，長江存儲的 64 層 3D NAND 晶片是全球首款基於 Xtacking 結構設計，且實現量產的快閃記憶體晶片，可在兩片獨立晶圓上，分別加工週圍電路與儲存單元，帶來更快的 I/O 傳輸速度、更高的儲存密度，且有助於縮短產品上市週期。
長江存儲技術研發中心副總裁程衛華表示，將 Xtacking 結構投入大規模生產，能夠在提升產品性能的同時，縮短開發與生產週期，推動市場的快速發展。
展望未來市場，程衛華指出，在 5G、AI 時代的引領下，全球對 3D NAND 晶片的需求將持續增長，而 64 層 3D NAND 閃存產品的大規模生產，將為全球 NAND 記憶體市場挹注發展動能。
根據 TrendForce 報告，2018 年 NAND Flash 因供過於求導致市場價格大跌，製造商紛紛推遲 96 層 3D NAND 擴產計畫，技術製程因此陷入瓶頸，這為長江存儲提供技術追趕的機會。
目前包含三星電子、SK 海力士、東芝以及美光等全球主要 NAND 供應商皆已開始量產 96 層技術，並為 128 層技術熱身，若長江存儲能在 2020 年成功投入 128 層技術，將有望拉近與國際大廠間的競爭差距。
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