英特磊 IET-KY（4971-TW） 今 （28） 日召開法說會，去年稅後純益 5140 萬元、年減近 6 成，每股純益 1.42 元創新低，不過總經理高永中表示，目前 VCSEL 磊晶片已經進入量產，切入資料中心，另外他也預期毫米波 PA（28 GHz） 將進入 5G 手機應用，因此也與大廠合作開發大尺寸 5G 應用 HBT。
英特磊去年營 6.5 億元，年減 26.1%、毛利率 35.7%，年減 1.3 個百分點、營益率 9.5%，年減 10.9 個百分點，稅後純益 5140 萬元，年減近 6 成，每股純益 1.42 元，公司擬配息 1 元。
高永中表示，去年因為客戶調節庫存，拉貨動能趨緩，營收下滑、毛利也隨之下降，營益率更因為固定生產成本降少有限，導致本業獲利大幅萎縮，獲利也寫下歷年新低。
以各產品營收佔比來看，去年砷化鎵佔 55%，磷化銦佔 25.2%，銻化鎵佔 19.2%。
展望今年，高永中強調，砷化鎵產品方面，主要用於汽車防撞雷達與高頻國防應用，高毛利 pHEMT 晶片為主，而 VCSEL 磊晶片已初步進入量產，主要用於資料中心。
磷化銦產品方面， APD 及 PIN 磊晶片需求，也可望隨大型資料庫、雲端運算線路同步成長。
此外，受惠 5G 基礎建設，高永中表示，近期磷化銦 HBT 用於 5G 產品可望增加，另外大尺寸 5G 應用 HBT 也與大廠合作開發，他認為今年底毫米波 PA（28 GHz） 將進入 5G 手機應用。
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高永中表示，去年因為客戶調節庫存，拉貨動能趨緩，營收下滑、毛利也隨之下降，營益率更因為固定生產成本降少有限，導致本業獲利大幅萎縮，獲利也寫下歷年新低。
以各產品營收佔比來看，去年砷化鎵佔 55%，磷化銦佔 25.2%，銻化鎵佔 19.2%。
展望今年，高永中強調，砷化鎵產品方面，主要用於汽車防撞雷達與高頻國防應用，高毛利 pHEMT 晶片為主，而 VCSEL 磊晶片已初步進入量產，主要用於資料中心。
磷化銦產品方面， APD 及 PIN 磊晶片需求，也可望隨大型資料庫、雲端運算線路同步成長。
此外，受惠 5G 基礎建設，高永中表示，近期磷化銦 HBT 用於 5G 產品可望增加，另外大尺寸 5G 應用 HBT 也與大廠合作開發，他認為今年底毫米波 PA（28 GHz） 將進入 5G 手機應用。
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