研調機構 TrendForce 發布最新《中國半導體產業深度分析報告》，TrendForce 分析師謝瑞峰指出，雖仍有貿易戰等不利因素影響，但在需求驅動下，受影響程度小於其他 IC 產品，預期今年功率半導體景氣仍將持續向上，預估今年中國功率半導體市場規模將達 2907 億元人民幣，年增 12.17%，維持雙位數成長。
TrendForce 在最新《中國半導體產業深度分析報告》指出，受惠新能源汽車、工業控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT 等多種產品持續缺貨和漲價，帶動 2018 年中國功率半導體市場規模大幅成長 12.76% 至 2591 億元人民幣，其中，離散式元件市場規模為 1874 億元人民幣，較 2017 年成長 14.7%；電源管理 IC 市場規模為 717 億元人民幣，年增 8%。
TrendForce 分析師謝瑞峰指出，功率半導體今年景氣仍持續向上，雖仍有貿易戰等不利因素影響，但在需求驅動下，受影響程度小於其他 IC 產品，預估今年中國功率半導體市場規模，將達 2907 億元人民幣，年增幅達 12.17%，維持雙位數成長。
受益於中國國產替代政策推動與缺貨漲價情況，去年多家中國本土功率半導體廠商取得亮眼成績，並擴大布局腳步。其中，比亞迪微電子憑藉擁有終端的優勢，在車用 IGBT 市場快速崛起，取得中國車用 IGBT 市場超過 2 成市占，成為銷售額位於中國前三的 IGBT 供應商；MOSFET 廠商華微電子和揚傑科技營收大增，並逐漸導入 IGBT 市場。
至於有新建與規劃 IGBT 產線的廠商，包含士蘭微廈門 12 寸特色工藝產線、華潤微電子在重慶建設的 12 寸特色工藝產線，及積塔半導體專業汽車級 IGBT 產線等。同時，多家廠商也投入研發 SiC 等新材料技術領域，基本半導體的 SiC MOSFET 已進入量產上市，定位為代工的三安光電 SiC 產線，也已開始接單、比亞迪微電子也已研發成功 SiC MOSFET，目標是到 2023 年實現 SiC MOSFET 全面替代矽基 IGBT。
展望今年，從終端需求來看，新能源汽車仍為中國功率半導體市場最大需求來源，據 TrendForce 資料顯示，今年中國新能源車產量預估為 150 萬輛，年增 45%，其 ADAS 系統、電控及充電樁需求，將帶動功率元件市場規模約 270 億元。而 5G 建設所需的基站設備及其普及後帶來物聯網、雲端運算的快速發展，將對功率半導體產生長期的需求，工業自動化也是持續推進需求的動能。
從供應端來看，今年雖將有 3 至 5 條功率產線進入量產，但據 TrendForce 預計，今年前 3 季功率元件產品缺貨情況恐難有明顯好轉，多家廠商產品價格預期仍將上漲。從廠商技術發展來看，SiC MOSFET 有望進一步提高在車用領域對矽基 IGBT 的替代率，矽基 IGBT 則有望向更低功耗、更高效率的方向繼續發展。
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TrendForce 分析師謝瑞峰指出，功率半導體今年景氣仍持續向上，雖仍有貿易戰等不利因素影響，但在需求驅動下，受影響程度小於其他 IC 產品，預估今年中國功率半導體市場規模，將達 2907 億元人民幣，年增幅達 12.17%，維持雙位數成長。
受益於中國國產替代政策推動與缺貨漲價情況，去年多家中國本土功率半導體廠商取得亮眼成績，並擴大布局腳步。其中，比亞迪微電子憑藉擁有終端的優勢，在車用 IGBT 市場快速崛起，取得中國車用 IGBT 市場超過 2 成市占，成為銷售額位於中國前三的 IGBT 供應商；MOSFET 廠商華微電子和揚傑科技營收大增，並逐漸導入 IGBT 市場。
至於有新建與規劃 IGBT 產線的廠商，包含士蘭微廈門 12 寸特色工藝產線、華潤微電子在重慶建設的 12 寸特色工藝產線，及積塔半導體專業汽車級 IGBT 產線等。同時，多家廠商也投入研發 SiC 等新材料技術領域，基本半導體的 SiC MOSFET 已進入量產上市，定位為代工的三安光電 SiC 產線，也已開始接單、比亞迪微電子也已研發成功 SiC MOSFET，目標是到 2023 年實現 SiC MOSFET 全面替代矽基 IGBT。
展望今年，從終端需求來看，新能源汽車仍為中國功率半導體市場最大需求來源，據 TrendForce 資料顯示，今年中國新能源車產量預估為 150 萬輛，年增 45%，其 ADAS 系統、電控及充電樁需求，將帶動功率元件市場規模約 270 億元。而 5G 建設所需的基站設備及其普及後帶來物聯網、雲端運算的快速發展，將對功率半導體產生長期的需求，工業自動化也是持續推進需求的動能。
從供應端來看，今年雖將有 3 至 5 條功率產線進入量產，但據 TrendForce 預計，今年前 3 季功率元件產品缺貨情況恐難有明顯好轉，多家廠商產品價格預期仍將上漲。從廠商技術發展來看，SiC MOSFET 有望進一步提高在車用領域對矽基 IGBT 的替代率，矽基 IGBT 則有望向更低功耗、更高效率的方向繼續發展。
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