根據 SEMI（國際半導體產業協會） 最新公布「全球晶圓廠預測報告」指出，明年全球晶圓廠設備投資金額將下修，由原先的預期成長 7%，下修至衰退 8%，成為近 4 年來，全球晶圓廠設備投資額首度出現負成長，而晶圓廠資本投資快速下滑的兩大主因，為記憶體價格下跌、及美中貿易戰導致投資計畫改變。
剛進入 2018 年時，全球半導體晶圓廠設備市場原先預測，將延續罕見的 4 年連續成長至 2019 年，不過，SEMI 今年 8 月時便預測今年下半年與明年上半年，晶圓廠投資金額將呈現下滑態勢，SEMI 更在最新的預測報告中指出，受到近期市場情勢影響，投資金額下滑幅度恐更劇烈。
SEMI 預期，今年與明年全球晶圓廠設備投資金額都將下修，今年的投資金額由 8 月時預測的成長 14%、下修至僅成長 10%，而明年更由原先預測的成長 7%，下修為衰退 8%，其中，明年上半年晶圓設備銷售金額將下滑 16 個百分點，情況要到下半年才有機會好轉。
SEMI 台灣區總裁曹世綸表示，晶圓廠資本投資快速下滑的兩大主因，是記憶體價格下跌與美中貿易戰導致投資計畫改變，其中，又以先進記憶體製造商、中國晶圓廠、及 28 奈米或以上成熟製程業者，其資本支出縮減影響全球市場最劇。
據 SEMI 報告指出，明年整體記憶體資本支出將下滑 19%，又以 DRAM 下滑最劇烈、達 23%，3D NAND 下滑 13%，中國與韓國為記憶體投資金額下滑幅度最大的地區。記憶體外如光電、晶圓代工、類比及混和訊號 IC、微控制及處理器等其他領域，資本投資力道將持續，顯示成熟製程未來市場仍樂觀。
不過，並非所有記憶體製造商均減少資本投資，美光就是其中的例外。明年美光預期將投資約 105 億美元，相較於今年的 82 億美元提高約 28%，投資金額主要計畫用於擴張及升級既有廠房設施，但針對 NAND 的投資將較今年少。
從地區來看，中國與韓國晶圓廠設備投資金額均大幅下修，中國投資金額由原先預測的 170 億美元，下修至 120 億美元。包括 SK Hynix、GLOBALFOUNDRIES、聯電、中芯國際等半導體製造業者，皆暫緩在中國的投資力道，福建晉華案也使 DRAM 的投資計畫暫停。
韓國方面，明年晶圓廠設備投資金額由原先預測的 170 億美元，大幅下修至 120 億美元。三星減緩投資部分，預期將從今年第 4 季，延續至明年上半年，其中受影響最劇烈的為 P1 及 P2 的第一階段，S3 的時程也將受到影響。
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SEMI 預期，今年與明年全球晶圓廠設備投資金額都將下修，今年的投資金額由 8 月時預測的成長 14%、下修至僅成長 10%，而明年更由原先預測的成長 7%，下修為衰退 8%，其中，明年上半年晶圓設備銷售金額將下滑 16 個百分點，情況要到下半年才有機會好轉。
SEMI 台灣區總裁曹世綸表示，晶圓廠資本投資快速下滑的兩大主因，是記憶體價格下跌與美中貿易戰導致投資計畫改變，其中，又以先進記憶體製造商、中國晶圓廠、及 28 奈米或以上成熟製程業者，其資本支出縮減影響全球市場最劇。
據 SEMI 報告指出，明年整體記憶體資本支出將下滑 19%，又以 DRAM 下滑最劇烈、達 23%，3D NAND 下滑 13%，中國與韓國為記憶體投資金額下滑幅度最大的地區。記憶體外如光電、晶圓代工、類比及混和訊號 IC、微控制及處理器等其他領域，資本投資力道將持續，顯示成熟製程未來市場仍樂觀。
不過，並非所有記憶體製造商均減少資本投資，美光就是其中的例外。明年美光預期將投資約 105 億美元，相較於今年的 82 億美元提高約 28%，投資金額主要計畫用於擴張及升級既有廠房設施，但針對 NAND 的投資將較今年少。
從地區來看，中國與韓國晶圓廠設備投資金額均大幅下修，中國投資金額由原先預測的 170 億美元，下修至 120 億美元。包括 SK Hynix、GLOBALFOUNDRIES、聯電、中芯國際等半導體製造業者，皆暫緩在中國的投資力道，福建晉華案也使 DRAM 的投資計畫暫停。
韓國方面，明年晶圓廠設備投資金額由原先預測的 170 億美元，大幅下修至 120 億美元。三星減緩投資部分，預期將從今年第 4 季，延續至明年上半年，其中受影響最劇烈的為 P1 及 P2 的第一階段，S3 的時程也將受到影響。
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