韓國半導體大廠 SK 海力士 （000660-KR） 推出了全球首款 96 層 512GB 的 「4D NAND 快閃記憶體」。
SK 海力士在現有的 3D NAND 記憶體所採用的 Charge Trap Flash（CTF） 架構上，搭配 Peri Under Cell（PUC） 技術，研發出全球第一款 4D NAND 快閃記憶體，該公司預計將在年底前開始量產 96 層 512GB 的 4D NAND 快閃記憶體。
該公司表示，SK 海力士是在產業中第一個將 3D CTF 與 PUC 融合的公司，並且將帶來業界最好的性能和生產力。該公司將產品正式命名為「基於 CTF 的 4D NAND 快閃記憶體」，以區別目前市面上的 3D NAND 快閃記憶體技術。
與現行的 72 層 512GB 3D NAND 相比，4D NAND 晶片尺寸減少了 30%，並且每個晶圓的生產率提高了 49%。此外，該產品的寫入速度提高了 30%，讀取速度提高了 25%。數據寬頻成長了一倍，達到業界最大的 64KB。隨著多閘極電晶體結構的引入，數據輸入輸出速度在 1.2 伏特下達到 1,200 兆 Mbps。
今年 8 月份，在加州舉行的快閃記憶體峰會 （FMS） 上，SK 海力士曾預告將推出各種 4D NAND 的應用來提升解決方案市場的競爭力。
SK 海力士預計在今年內推出採用 4D NAND 快閃記憶體且容量為 1TB 的消費性固態硬碟 （SSD） 產品，而企業級固態硬碟計畫將在 2019 年下半年推出。
「這種基於 96 層 CTF 的 4D NAND 具有業界最高的成本競爭力和性能，將成為公司 NAND 快閃記憶體業務的里程碑，並成為未來產品開發的平台，」副總裁兼 NAND 營銷主管 J.T. Kim 表示:「公司計劃在今年內開始進行量產，並進一步擴大 M15 產線，以積極回應客戶需求。」
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該公司表示，SK 海力士是在產業中第一個將 3D CTF 與 PUC 融合的公司，並且將帶來業界最好的性能和生產力。該公司將產品正式命名為「基於 CTF 的 4D NAND 快閃記憶體」，以區別目前市面上的 3D NAND 快閃記憶體技術。
與現行的 72 層 512GB 3D NAND 相比，4D NAND 晶片尺寸減少了 30%，並且每個晶圓的生產率提高了 49%。此外，該產品的寫入速度提高了 30%，讀取速度提高了 25%。數據寬頻成長了一倍，達到業界最大的 64KB。隨著多閘極電晶體結構的引入，數據輸入輸出速度在 1.2 伏特下達到 1,200 兆 Mbps。
今年 8 月份，在加州舉行的快閃記憶體峰會 （FMS） 上，SK 海力士曾預告將推出各種 4D NAND 的應用來提升解決方案市場的競爭力。
SK 海力士預計在今年內推出採用 4D NAND 快閃記憶體且容量為 1TB 的消費性固態硬碟 （SSD） 產品，而企業級固態硬碟計畫將在 2019 年下半年推出。
「這種基於 96 層 CTF 的 4D NAND 具有業界最高的成本競爭力和性能，將成為公司 NAND 快閃記憶體業務的里程碑，並成為未來產品開發的平台，」副總裁兼 NAND 營銷主管 J.T. Kim 表示:「公司計劃在今年內開始進行量產，並進一步擴大 M15 產線，以積極回應客戶需求。」
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