隨著 5G 時代到來，以碳化矽 （SiC）、氮化鎵 （GaN） 為代表的第 3 代寬禁帶半導體材料將迎來發展機遇。三安光電、國民技術、揚傑科技、海特高新等多家 A 股上市公司均已積極佈局。
5G 時代，一部手機可能就需要 16 顆 PA（功率放大器） 晶片，也需要更多的基站、大規模天線 （Massive MIMO）、濾波器等，這給第 3 代半導體帶來發展機遇。
QYResearch 的市場研究報告顯示，2016 年全球射頻前端市場規模為 125 億美元，預計到 2022 年將達到 259 億美元，年複合增長率為 12.9%。英飛淩 （Infineon） 預計，未來 GaN 將佔據 75% 的基站射頻功率器件市場。
據《上海證券報》報導，看好第 3 代半導體商機，三安光電 （600703-CN） 利用安芯基金，在 RF 射頻、光通信、濾波器、電力電子等方面展開佈局，目標是建設面向下一代無線通訊 GaN 器件平台。
作為光電龍頭，三安光電早就大手筆佈局第 3 代半導體。2015 年 6 月，三安光電引入國家積體電路產業投資基金，意在推動以 III-V 族化合物半導體為重點的積體電路業務進一步做大做強。此後，公司聯合福建省、大基金等共同設立了規模 500 億元 （人民幣，下同） 的福建省安芯產業投資基金合夥企業，首期規模 75.1 億元。
三安光電在今年半年報中披露，子公司廈門市三安積體電路有限公司 （承擔第 3 代半導體業務） 已向 47 家公司提交樣品，其中 11 顆晶片進入微量產，此外還佈局了光通訊晶片、濾波器等領域。
據了解，三安光電目前在第 3 代半導體業務上首先聚焦移動終端，產品已實現小規模量產，每月訂單近百片 wafer（晶圓），預計 2018 年至 2019 年將對公司業績產生貢獻。
除三安光電外，揚傑科技 （300373-CN）、海特高新 （002023-CN）、國民技術 （300077-CN） 等多家上市公司均已涉足第 3 代半導體業務。
揚傑科技近期接受機構調研時表示，其碳化矽晶片技術已達到國內領先水準。早在 2015 年 7 月，揚傑科技即錨定第 3 代半導體，定增募資不超過 10 億元，用於 SiC 晶片、器件研發及產業化建設等專案。
揚傑在半年報中表示，持續推進第 3 代半導體項目的研發及產業化，針對 650V/1200V 碳化矽 JBS 產品，開發並改進可與矽線相互相容的生產工藝，以增強產能結構即時調整的能動性。
國民技術在這個領域才剛起步。公司 8 月 15 日披露，其全資子公司深圳前海國民公司與成都邛崍市人民政府簽訂《化合物半導體生態產業園項目投資協議書》，由前者組織資金，以第二、三代化合物半導體外延片材料為核心基礎，在邛崍市打造化合物半導體產業鏈生態圈，項目總投資將不少於 80 億元，預計 3 年初具規模。
此外，海特高新通過其子公司海威華芯建設 6 英寸的第二代 / 第 3 代半導體積體電路晶片生產線。中車時代電氣 （中國中車子公司） 在高功率 SiC 器件方面處於國內領先。
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QYResearch 的市場研究報告顯示，2016 年全球射頻前端市場規模為 125 億美元，預計到 2022 年將達到 259 億美元，年複合增長率為 12.9%。英飛淩 （Infineon） 預計，未來 GaN 將佔據 75% 的基站射頻功率器件市場。
據《上海證券報》報導，看好第 3 代半導體商機，三安光電 （600703-CN） 利用安芯基金，在 RF 射頻、光通信、濾波器、電力電子等方面展開佈局，目標是建設面向下一代無線通訊 GaN 器件平台。
作為光電龍頭，三安光電早就大手筆佈局第 3 代半導體。2015 年 6 月，三安光電引入國家積體電路產業投資基金，意在推動以 III-V 族化合物半導體為重點的積體電路業務進一步做大做強。此後，公司聯合福建省、大基金等共同設立了規模 500 億元 （人民幣，下同） 的福建省安芯產業投資基金合夥企業，首期規模 75.1 億元。
三安光電在今年半年報中披露，子公司廈門市三安積體電路有限公司 （承擔第 3 代半導體業務） 已向 47 家公司提交樣品，其中 11 顆晶片進入微量產，此外還佈局了光通訊晶片、濾波器等領域。
據了解，三安光電目前在第 3 代半導體業務上首先聚焦移動終端，產品已實現小規模量產，每月訂單近百片 wafer（晶圓），預計 2018 年至 2019 年將對公司業績產生貢獻。
除三安光電外，揚傑科技 （300373-CN）、海特高新 （002023-CN）、國民技術 （300077-CN） 等多家上市公司均已涉足第 3 代半導體業務。
揚傑科技近期接受機構調研時表示，其碳化矽晶片技術已達到國內領先水準。早在 2015 年 7 月，揚傑科技即錨定第 3 代半導體，定增募資不超過 10 億元，用於 SiC 晶片、器件研發及產業化建設等專案。
揚傑在半年報中表示，持續推進第 3 代半導體項目的研發及產業化，針對 650V/1200V 碳化矽 JBS 產品，開發並改進可與矽線相互相容的生產工藝，以增強產能結構即時調整的能動性。
國民技術在這個領域才剛起步。公司 8 月 15 日披露，其全資子公司深圳前海國民公司與成都邛崍市人民政府簽訂《化合物半導體生態產業園項目投資協議書》，由前者組織資金，以第二、三代化合物半導體外延片材料為核心基礎，在邛崍市打造化合物半導體產業鏈生態圈，項目總投資將不少於 80 億元，預計 3 年初具規模。
此外，海特高新通過其子公司海威華芯建設 6 英寸的第二代 / 第 3 代半導體積體電路晶片生產線。中車時代電氣 （中國中車子公司） 在高功率 SiC 器件方面處於國內領先。
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