台積電美國當地時間26日舉辦2023年北美技術論壇，會中揭示2奈米技術進展及業界領先的3奈米技術家族新成員。其中強化版3奈米（N3P）製程預計於2024年下半年進入量產。至於2奈米技術採用奈米片電晶體架構，在良率與元件效能上皆展現良好的進展，將如期於2025年量產。
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台積電北美技術論壇於美國加州聖塔克拉拉市舉行，共有超過1600位客戶及合作夥伴報名參與，為接下來幾個月陸續登場的全球技術論壇揭開序幕。本技術論壇亦設置創新專區，展示18家新興客戶令人期待的創新技術。
台積電總裁魏哲家表示，公司客戶從未停止尋找新方法，利用晶片的力量為世界帶來令人驚歎的創新，並創造更美好的未來。憑藉著相同的精神，公司也持續成長進步，加強並推進製程技術，提高效能、功耗效率及功能性，協助客戶在未來持續釋放更多的創新。
此次技術論壇主要的技術焦點包括：更廣泛的3奈米技術組合：N3P、N3X、以及N3AE，隨著N3製程已進入量產，強化版N3E製程預計將於2023年量產，公司將推出更多3奈米技術家族成員以滿足客戶多樣化的需求。
台積電指出，N3P預計於2024年下半年進入量產，相較於N3E，在相同漏電下，速度增快5%；在相同速度下，功耗降低5-10%，晶片密度增加4%。N3X著重於效能與最大時脈頻率以支援高效能運算應用，相較於N3P，在驅動電壓1.2伏特下，速度增快5%，並擁有相同的晶片密度提升幅度，預計於2025年進入量產。
N3AE將提供以N3E為基礎的汽車製程設計套件（PDK），預計於2023年推出，讓客戶能夠提早採用3奈米技術來設計汽車應用產品，以便於2025年及時採用屆時已全面通過汽車製程驗證的N3A製程。
至於2奈米技術開發進展良好，公司2奈米技術採用奈米片電晶體架構，在良率與元件效能上皆展現良好的進展，將如期於2025年量產。相較於N3E，在相同功耗下，速度最快將可增加至15%；在相同速度下，功耗最多可降低30%，同時晶片密度增加大於15%。
N4PRF推進CMOS射頻技術之極限，在2021年推出N6RF技術後，公司進一步開發N4PRF，此為業界最先進的互補式金屬氧化物半導體（CMOS）射頻技術，以支援WiFi7射頻系統單晶片等數位密集型的射頻應用。相較於N6RF，N4PRF邏輯密度增加77%，且在相同速度下，功耗降低45%。
TSMC 3DFabric™先進封裝及矽晶堆疊部分，公司3DFabric系統整合技術之主要新發展包括，先進封裝：為了滿足高效能運算應用在單一封裝中置入更多處理器及記憶體的需求，公司正在開發具有高達6個光罩尺寸（約5,000平方毫米）重佈線層（RDL）中介層的CoWoS解決方案，能夠容納12個高頻寬記憶體堆疊。
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三維晶片堆疊：台積電宣佈推出SoIC-P，作為系統整合晶片（SoIC）解決方案的微凸塊版本，提供具有成本效益的方式來進行3D晶片堆疊，SoIC-P加上目前的SoIC-X無凸塊解決方案，使得台積公司的3D IC技術更臻完善。設計支援：推出開放式標準設計語言的最新版本3Dblox™ 1.5，旨在降低三維積體電路（3D IC）的設計門檻。3Dblox™ 1.5增加了自動凸塊合成的功能，協助晶片設計人員處理具有數千個凸塊的複雜大型晶片，可縮短數個月的設計時程。