DIGITIMES研究中心統計與分析，2022年全球絕緣閘雙極電晶體（Insulated Gate Bipolar Transistor；IGBT）因電動車與太陽能發電市場的強勁需求，在供應端產能有限的情況下，整體供需缺口達13.6%。展望2023年，全球IGBT業者產能持續擴張，加上經濟陰霾恐導致電動車市場增速走緩，其餘IGBT相關應用中，僅新能源發電新增裝機量動能明確，故2023年全球IGBT供需缺口將收窄至-2.5%，當前短缺現象逐漸邁入尾聲。
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DIGITIMES指出，近年全球IGBT業者產能增長情況，依中國與國際業者分為兩個階段，2021到2023年由中國業者主導，在IGBT晶片自給率低，急需國產替代的趨勢下，全球恰逢晶片短缺情境，導致中國市場主要IGBT晶片供應商（如英飛凌、三菱、富士電機等）相繼供不應求，中國IGBT業者則趁機透過低售價、及時客戶服務與穩定的供應鏈，成功打進下游客戶，並逐漸拉升產能以提高市佔率。
國際業者方面，因過去全球IGBT市場相對供需平衡，競爭格局亦不易變動，實施激進的產能擴張或面臨供過於求致使產品訂價下滑的風險，因而對增產計畫一向較為保守，然在龐大的終端市場需求（主要為新能源汽車、發電與儲能裝置等）牽動下，國際業者紛紛加入IGBT擴產行列，預期主要投產時間落在2023到2025年。