全球電源管理大廠台達電子公司碇基半導體，專注於第三代半導體氮化鎵（GaN）技術用於開發功率半導體，今（14）日宣布已完成新一輪4.56億新台幣的增資合約簽訂，且在這次增資的同時，獲得了與力智電子（uPI）、中美矽晶（SAS）、日商羅姆半導體（Rohm），以及母公司台達電等夥伴建立策略合作關係，共同加速GaN功率半導體技術的發展。
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碇基半導體總經理邢泰剛博士表示，氮化鎵（GaN）可提供更高效率、更低功耗和優異節能優勢。圍繞GaN新技術的演進，相關生態系統正在不斷發展，新應用也不斷湧現，很高興能與力智uPI、中美矽晶SAS、羅姆Rohm等業界先進成為戰略合作夥伴，也感謝母公司台達電持續在內部事業單位中孕育與碇基合作的可能性。這個組合將使公司能夠在材料、控制IC設計、應用和系統解決方案等面向，建構全面性的整合能力，並加速打造出具有更高競爭力的GaN技術應用。
碇基的GaN解決方案包括領先行業的離散元件產品、系統封裝（SiP）和系統單晶片（SoC）組合，具有好的品質、可靠度和耐用性，已通過應用於母公司台達電源系統的嚴格檢驗。
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同時，碇基也透過持續內部的系統優化與技術提升，並結合台達電長期致力於提升電力電子核心技術以滿足全球電源市場需求的承諾，不但可協助碇基提高生產能力、為不斷增長的GaN市場迅速提供更完整服務，更將進一步加快消費電子、電信和汽車市場的先進技術和產品開發。這對碇基而言，將是成長的關鍵動力，也同時加速電源技術的創新，為實現永續發展做出實際貢獻。
隨著時代變遷，科技日新月異，產品追求更快、更小的尺寸、更輕的重量與高效率與高穩定度，而傳統的矽（Si）半導體則因為物理限制的關係，逐漸無法符合市場需求，於是第三代半導體氮化鎵（GaN）可忍耐更高的溫度與電壓，便開始應用在電動車、電信與特定的消費電子產品等相關領域上。