記憶體大廠南亞科在新北泰山南林科技園區新建雙層無塵室12吋廠廠今（23）日舉行動土典禮，董事長吳嘉昭指出，該廠分3階段進行，其目標希望在3年內正式投產，完成後月產能4.5萬片，年產能超過50萬片，每年預估可創造超過700億元產值，並提供約3000個工作機會，也帶來DRAM產業鏈的發展。而久未公開露面的台塑集團總裁王文淵也現身，雖未在台上致詞，但台下面對媒體提問用電與調高電價等議題，他幾乎都未回答快閃離開現場。
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今日動土典禮由台塑企業總裁王文淵及南亞科董事長吳嘉昭主持，總統蔡英文、新北市長侯友宜、行政院副院長沈榮津、監察院副院長李鴻鈞、經濟部長王美花等中央及地方首長、民意代表及半導體業界人士等約320人應邀出席。
▲南亞科先進晶圓廠動土，圖為台塑集團總裁王文淵（圖右）致贈晶圓給總統蔡英文（圖左）。（圖／記者許家禎攝） 台塑企業王文淵總裁在新聞稿上指出，DRAM是關鍵的零組件，即使歷經2007年至2012年DRAM市場劇烈變動，和2008年全球金融海嘯等難關，台塑仍全力支持南亞科技挺過逆境，替台灣保留電子產業關鍵零組件的技術。而且DRAM技術更迭快速，若無研發自主，技術及擴產將無法自我掌控，為能完全擺脫營運枷鎖，南亞科技經過不斷的創新與研發，已成功開發出新世代10奈米級記憶體技術，代表台灣正式掌握DRAM半導體世界一流的先進技術能力。
南亞科董事長吳嘉昭今日致詞時表示，公司創立到現在27年，歷經許多產業的挑戰，而現在包括AI、大數據、電動車都需要重要關鍵元件，為了掌握DRAM的技術，經過不斷創新與研發，公司成功研發10奈米級的DRAM技術，第一批已經試產成功，預計在今年下半年就要開始量產。第二代技術及產品也已進入試產，並已展開第三代1C技術以及應用於1D的EUV技術研發工作。
吳嘉昭指出，為了延續與擴大台灣DRAM產業的發展，公司也投入3000億元，建置雙層的無塵室新廠，分3階段進行，其目標在3年內正式投產，完成後月產能4.5萬片，年產能超過50萬片，全公司晶粒位元產出成長將達120%，每年預估可創造超過700億元產值，並提供約3000個優質工作機會，也帶來DRAM產業鏈的發展。
南亞科指出，新廠基地包含「主廠房」、「研發大樓」及「水資源再生中心」，同時也將興建EUV極紫外光微影設備獨立廠房，以因應未來先進製程導入之需求。採用南亞科技自主研發的10奈米級（1A, 1B, 1C, 1D）製程技術生產DRAM 晶片，並將運用「AI智慧製造」技術，全面提升製程效率。
南亞科總經理李培瑛指出，公司EUV製程跟同業一樣，規劃在未來的世代導入，EUV在DRAM這個產業會相對比邏輯晶片還慢一點，主要是DRAM的特性。而公司EUV的採購部分，製程第一到第三代，不需要EUV就可以做到，EUV預期在第四代導入，初期EUV的量不會太大，就少數幾台。
至於用電量EUV會稍微高一點，但南亞科用電需求都已經取得核備，再加上公司推行再生能源、綠能用電，已購買了未來10年要用的再生能源，因此用電用水都不是問題。
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據了解，南亞科節能措施近5年累計節電達5830萬度，製程水回收率達到90.8%，佈局再生能源未來10年總量2.5億度太陽能。未來新廠，將以綠建築標準及智慧建築規劃，帶動DRAM產業鏈邁向綠色生產。