據研調機構 TrendForce 記憶體儲存研究 （DRAMeXchange） 調查，受惠電子產品需求有所復甦，第 2 季 NAND Flash 整體產業位元消耗量成長約 15%，但由於供應商存貨仍高，第 2 季合約價跌幅仍相當顯著，整體產業營收仍維持約 108 億美元的水準，較第一季基本持平。
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展望第 3 季，雖然預期旺季需求有助出貨表現，但受地緣經濟衝突影響，需求表現恐較往年疲弱，但從供給面來看，NAND Flash 受到東芝 6 月跳電事件衝擊影響，第 3 季合約價跌幅明顯收斂，而 Wafer 市場則呈現漲勢，預估整體營收較第 2 季成長可能性較高。
從產能來看，今年以來三星產能規劃皆無太大改變，產能縮減部分皆以 Line12 的平面製程為主，3D NAND 整體投片規模與第 1 季相當。SK 海力士宣布整體 NAND 投片量將年減 15%，主要在於平面製程的縮減，因應需求轉向較低成本的 3D NAND。新廠 M15 的整體 3D NAND 投片量會緩慢增長，並以 TLC 架構為主，今年內 SK 海力士無量產 QLC 產品的打算。
東芝記憶體四日市廠區受停電事件衝擊影響顯著，雖然產線大致於 7 月中旬前恢復，對整體市場供給影響仍大，約占全體年產出的 3%。威騰電子決定上半年進行減產，受到四日市廠區跳電事故的影響，產能損失幅度約為 6 ExaBytes，截至 7 月底前產線已大致恢復。
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美光第 1 季以宣佈較先前生產計劃減少 5%，第 2 季更進一步擴大至 10%，3D NAND 的產出比重仍將維持 90% 以上。英特爾第 1 季暫停後續在大連廠的擴產規劃，預估到年底間都不會擴產，目前在出貨比重上仍以 64 層產品為主力，除逐步推進客戶使用 96 層產品外，也積極導向採用高容量產品。
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