有鑑於 DRAM 的資本支出在今年高速成長，記憶體類別躍升成為 2018 年全球半導體資本支出的最大比重。
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IC Insights 預測，今年半導體資本支出總額將增加至 1020 億美元，首次突破 1000 億美元。相比去年的 933 億美元相比，成長了 9%，也比 2016 年成長了 38%。
根據報告顯示，有超過一半的資本支出預計用於記憶體生產，主要是 DRAM 和閃存記憶體，以及對現有晶圓廠線和全新製造設備的升級。總體來說，今年記憶體將占整體半導體資本支出的 53%。記憶體的資本支出比重，在六年內大幅增加，幾乎翻了一倍。從 2013 年的 27%（147 億美元） 增加到 2018 年的半導體總資本支出的 53%（540 億美元），達到 30% 的複合年增率 （2013-2018）。
記憶體資本支出逐年增加 （圖: IC Insight） 在主要產品類別中，DRAM / SRAM 的支出預計增加幅度最大。而閃存記憶體則將成為今年資本支出的最大比重。預計 2018 年 DRAM / SRAM 類別的資本支出將出現 41% 的成長，這是繼 2017 年強勁的 82% 成長後又一波增幅。而 2018 年閃存記憶體類別的資本支出將成長 13%，相較 2017 年同期的 91%。
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各類型半導體資本支出佔整體資本支出比重 （圖: IC Insight） 然而，在經過兩年的資本支出大幅增加後，市場開始擔憂，高水平的支出是否會導致產能過剩和價格下跌。根據記憶體市場的歷史經驗，過多的支出通常會導致產能過剩和隨後的價格疲軟。IC Insights 認為，未來 3D NAND 快閃記憶體市場未來很可能供過於求，而且這樣的風險正在持續增長中。
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