據調研機構 IC Insights 週二 （10 日） 最新研報指出，受到記憶體市場需求火熱、價格上漲的刺激，預計全球主要 NAND 供應商將大幅擴大資本支出，來拉高產能，估計今年的 NAND 記憶體價格將進一步走跌。
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近年 NAND 資本支出比較 （圖: IC insight） 如上圖 所示，美光認為，NAND 記憶體產業為了維持出貨成長，每年都將增加 40% 資本支出擴增產能，2015 年資本支出為 90 億美元，到 2018 年已增加 2 倍達 220 億美元，之所以有這麼龐大的資金成長，是各廠都積極往 3D NAND 方向布局，由於 3D NAND 需要更多的晶圓廠設備與無塵室，造成資本支出金額成長。
全球五大 NAND 記憶體供應商也都聲稱，相信未來幾年內，NAND 出貨量每年的成長率平均約為 40%。而如上圖所示，去年美光為要支持 NAND 記憶體 40% 的出貨量增長，事實上實際資本支是出比所需之資本支出還要超出 27%，而今年預計將會有超過 41% 的額外資本支出，資本支出預算一路擴大。
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記憶市場的歷史先驅表明，過多資本支出通常會導致產能過剩，以及價格疲軟；三星 （005930-KR）、海力士 （000660-KR）、美光、英特爾 （INTC-US）、東芝 （6502-JP）、Western Digital （WDC-US） 和武漢新芯都計劃未來幾年內大幅提升 3D NAND 記憶體產出數量，其他新的中國廠商也可能會持續進入這個市場。IC Insights 認為，產業各廠高估 3D NAND 市場需求，風險持續不斷升溫。
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