根據 TrendForce 記憶體儲存研究 （DRAMeXchange） 調查顯示，去年第 4 季 DRAM 產業營收再創歷史新高，產值季增 14.2%，全年產值年增 76%；從整體產值來看，DRAMeXchange 預估，今年 DRAM 產業產值將成長超過 3 成，規模將達 960 億美元。
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DRAMeXchange 指出，從價格方面來看，受行動式記憶體接棒漲價帶動，加上智慧型手機旗艦機種旺季效應，以三星為首的 DRAM 廠拉抬行動式記憶體報價，帶動行動式記憶體在去年第 4 季有 5-20% 不等的漲幅 （取決於不同的容量），其餘各類 DRAM 產品合約價也普遍季漲約 5-10%。
DRAMeXchange 資深研究協理吳雅婷指出，展望今年第 1 季，PC-OEM 廠已陸續議定合約價格，就一線大廠訂價來看，PC DRAM 均價已來到 33 美元，季平均漲幅約 5%；以北美四大網路服務提供業者為首的資料中心拉貨動能仍強，帶動首季伺服器記憶體價格上漲 3-5%；智慧型手機第 1 季買氣較原先預期低迷，加上 NAND 跌價與中國發改委因素影響，行動式記憶體價格漲幅較先前收斂，平均價格小幅上漲約 3%。
觀察各廠去年第 4 季營收表現，三星穩坐 DRAM 產業龍頭，營收 101 億美元，季增 14.5%，再創歷史新高； SK 海力士營收衝至 63 億美元，季增 14.1%，兩大韓廠的市占率各為 46.0% 與 28.7%，合計已囊括 74.7% 的市占率；美光集團維持第三，營收 46 億美元，季增 13.4%，市占 20.8%。
受價格持續上漲及製程微縮所帶來的成本效益，三星去年第 4 季度營業利益率再度改寫歷史新高，由 62% 上升至 64%；SK 海力士從第 3 季度的 56% 提升至 59%；美光則從 50% 拉升至 53%。展望今年第 1 季，受惠於 DRAM 價格持續上漲與製程轉進所帶來的成本效益，三大廠在營收表現上可望再創新猷，各家獲利率也可望進一步提升。
從技術面來看，三星今年目標除持續提升 18nm 製程產出比重外，為期近兩年 DRAM 漲價帶動 DRAM 供應商的高獲利，及中國潛在競爭者的加入，讓三星決定展開新一波的擴產計畫，將原本規劃做 NAND Flash 的平澤廠二樓空間投入生產 DRAM，一方面因應 DRAM 供給吃緊狀況，另一方面藉由減少未來 NAND Flash 的投片量，來抑制 NAND Flash 的跌價速度； DRAMeXchange 指出，此舉對整體記憶體產業屬健康發展，並非壞事。
SK 海力士去年底開始導入 18nm 的生產，但進入 1Xnm 世代製程難度高、轉換不易，SK 海力士目前仍致力提升 18nm 良率；擴廠計畫則維持不變，最快要到 2019 年才會在中國無錫新建的第二座 12 吋廠看到產能開出。
美光的技術布局方面，台灣美光記憶體 （原瑞晶） 17nm 目前產出比重已超過 9 成，預計今年第 2 季初將完成轉換，台灣美光晶圓科技 （原華亞科） 計畫今年中開始進行 20nm 往 17nm 的轉換，預計今年年底將可望有一半產能轉往 17nm 生產，並在明年上半年全數導入。
台系廠商部分，南亞科 （2408-TW） 去年第 4 季營收季增 26.9%，主要歸功 20nm 轉換良率超乎預期，及價格持續走揚帶動。20nm 的成本效益拉升營業利益率至 38.9%，較前一季成長 7 個百分點。展望未來，由於 20nm 良率繼續提升，將會持續改善成本結構，增加獲利空間。
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力晶去年第 4 季 DRAM 營收季持平，主要還是替晶豪科、愛普等 IC 設計業者代工的獲利較佳，本身 DRAM 產能轉向更高毛利的產品；華邦電 （2344-TW） 去年第 4 季 DRAM 營收下滑 2.2%，主因為 DRAM 產能受 NOR Flash 產能壓縮所造成。
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