華邦電 （2344-TW） 今 （2） 日召開法說會，去年全年歸屬母公司淨利 55.51 億元，創 17 年新高，每股純益 1.54 元；總經理詹東義指出，今年 DRAM、Flash 市況健康，華邦電在 DRAM、NOR Flash，及 SLC NAND Flash（單層式儲存型快閃記憶體） 3 大產品線需求都很強，全年營運維持穩健。
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華邦電去年第 4 季合併營收含新唐等子公司為 132.06 億元，營業毛利率 38%，季增 1.12 個百分點，年增 9.78 個百分點，歸屬母公司淨利 17.89 億元，每股純益 0.49 元；累計全年合併營收 475.92 億元，營業毛利率 34%，年增 5 個百分點，歸屬母公司淨利 55.51 億元，每股純益 1.54 元。
華邦電指出，記憶體事業群部份，去年利基型記憶體 （Specialty DRAM） 占全年營收 40%，年減 8%，主要是因為產能受限所造成；行動記憶體 （Mobile DRAM） 占全年度營收 13%，年增 5%，低容量產品需求增加；快閃記憶體 （Flash Memory） 占全年度營收 47%，年增 46%，成長動能來自產能增加及有利的市況所造成。
詹東義指出，目前在 DRAM、Flash 兩大記憶體營收占比約各一半，為兩大成長引擎，看好今年 DRAM、Flash 市況仍然健康，將持續增加產能，去年整體月產能 4.6 萬片，今年預計增至 5.2 萬片，DRAM、Flash 全年產能各增加 1 成以上。
他表示，目前產能仍然不夠供應客戶的需求，台中廠產能很擠，因應擴增產能需求，今年資本支出達 185 億元，較去年 152 億元增加，連續兩年資本支出都增加，今年 3X 奈米將量產，同時也將投入 2X 奈米的研發。
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