聯電今（21）日宣布推出40奈米結合Silicon Storage Technology（SST）嵌入式SuperFlash®非揮發性記憶體的製程平台。新推出的40nm奈米SST嵌入式快閃記憶，較量產的55奈米單元尺寸減少20%以上，並使整體記憶體面積縮小了20-30%。東芝電子元件&存儲產品公司已開始評估其微處理器（MCU）晶片於聯電40奈米SST技術平台的適用性。
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聯電特殊技術組織協理丁文琪表示，自2015年提供55奈米SST嵌入式快閃記憶體成為主流技術以來，受到客戶的高度關注，該平台所具有的低功耗和高耐久性的特性，可用於汽車、工業、消費者和物聯網的應用，產品將進入大批量產，並正努力將這嵌入式快閃記憶體解決方案擴展到40奈米的技術平台，期待將SST的高速度和高可靠性優勢帶給東芝和其他晶圓專工客戶。
東芝電子元件&存儲產品公司混合信號晶片部門副總松井俊也表示，雙方合作能使公司保持強勁的業務連續性計畫。聯電指出，目前已有超過20個客戶和產品正以聯電55奈米SST嵌入式快閃記憶體製程進行各階段的生產，包含了SIM卡、金融交易、汽車、物聯網，MCU（微控制器）及其他應用產品。