快閃記憶體技術盛會「 2017 年快閃記憶體高峰會」將於美國時間 8 月 8 日於聖塔克拉拉正式登場。快閃記憶體（ NAND Flash ）大廠群聯多項快閃控制晶片，包括 UFS 、 SSD 等高階新晶片同步亮相，其中 UFS 超前國際一線大廠，領先發表 3.0 規格技術設計，成為 2017 FMS 上令人期待的亮點，並激勵群聯今（ 8 ）日盤中股價最高來到 432 元，漲幅 3% 以上。
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群聯在今（ 2017 ）年下半年啟動新一代的 3D NAND 支援的 NAND Flash 控制晶片，在 FMS 國際大展上，基於 3D NAND 製程之最新高階快閃控制晶片全面亮相，包括有可符合未來 5G 旗艦智慧型手機最高階 UFS 2.1 規格的快閃控制晶片 PS8313 ，以及日前在國際記憶體技術論壇 JEDEC Mobile & IoT Forum 上最新發表的 UFS 3.0 規格技術設計。在 SSD 方面，同步推出 PCIe G3x4 以及SATA III 兩種規格的最高階 8 通道快閃控制晶片 PS3112-E12 以及 PS3112-S12 。
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群聯董事長潘健成表示，公司在智慧型手機嵌入式快閃記憶體市場已取得高市占率，除了做大還要做強，並持續投資先進技術研發，符合高階智慧機種主流規格 UFS 2.1 雙通道的快閃控制晶片 PS8313 今日正式亮相，該晶片將引領 UFS 的讀寫速度推進到 SSD 等級，並搭配 NAND Flash 國際大廠最新 3D TLC 技術，將可提供高階智慧型手機達到最佳容量的性價比。在布局次世代進度上，已領先全球同業在今年第 3 季完成 UFS 3.0 控制晶片的設計，贏得國際大廠認證先機。
SSD 快閃控制晶片進展上，潘健成指出，近期在大陸市場爆發 SSD 黑心晶片事件，讓客戶更瞭解到公司的產品一再強調長期合作、可信賴是何其重要，這也提供了群聯擴大 SSD 市占率的機會。除此之外，技術再向前邁進的新晶片 PS3112-E12 以及 PS3112-S12 將是公司深耕高階 SSD 市場的重要新品，也蘊釀群聯下一波成長機會。